Декабрь 18th, 2007 В Fujitsu разрабатывают улучшенную технологию для ReRAM, более дешевую альтернативу флэш-памяти
На днях Fujitsu сообщила о новой, потенциально интересной разработке, резистивной памяти ReRAM. Она представляет интерес по той причине, что является более дешевой альтернативой очень популярной сейчас флэш-памяти.
Энергонезависимая Fujitsu ReRAM совмещает в себе два полезных свойства: невысокое потребление электроэнергии и изменяемое сопротивление при приложении напряжения. В лабораториях Fujitsu несколько изменили структуру имеющейся ReRAM, добавив к оксиду никеля (NiO) титан (Ti). Инженерам Fujitsu Labs удалось успешно понизить силу тока в транзисторе, требуемого для осуществления операций стирания. Теперь эта величина находится в пределах 100 мА. Время, затрачиваемое на операцию стирания памяти, составляет порядка 5 нс. Это, как сообщается, в 10 000 раз быстрее, чем у ReRAM без применения титана. В то же время колебания сопротивления были сокращены до одной десятой от характеристик ReRAM прошлых разработок.
Миниатюризация флэш-памяти вскоре, вероятно, достигнет своих пределов и потому на арену выходят новые разработки, предлагающие альтернативную энергонезависимую память, такие как ReRAM. К тому же, особенностью ReRAM является то, что эта память будет обходится в производстве дешевле чем флэш-память, а это, в свою очередь, должно позволить ей более быстро распространиться на рынке.
Источник: Fujitsu
